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光譜干涉儀技術(shù)在薄膜測(cè)厚儀上的運(yùn)用
模型 | FOS |
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測(cè)量方法 | 非接觸式/光譜干涉儀 |
測(cè)量對(duì)象 | 電子、光學(xué)用透明平滑膜、多層膜 |
測(cè)量原理 | 光譜干涉儀 |
實(shí)現(xiàn)高測(cè)量重復(fù)性(± 0.01 μm 或更小,取決于對(duì)象和測(cè)量條件)
不易受溫度變化的影響
可以制造用于研究和檢查的離線型和制造過程中使用的在線型。
反射型允許從薄膜的一側(cè)測(cè)量
只能測(cè)量透明涂膜層(取決于測(cè)量條件)
測(cè)量厚度 | 1 至 50 μm(用于薄材料)、10 至 150 μm(用于厚材料) |
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測(cè)量長(zhǎng)度 | 50-5000 毫米 |
測(cè)量間距 | 1 毫米 ~ |
最小顯示值 | 0.001 微米 |
電源電壓 | AC100 伏 50/60 赫茲 |
工作溫度限制 | 5~45℃(測(cè)量時(shí)溫度變化在1℃以內(nèi)) |
濕度 | 35-80%(無冷凝) |
測(cè)量區(qū)域 | φ0.6毫米 |
測(cè)量間隙 | 約 30 毫米 |